Come rivestire i wafer di silicio utilizzando la macchina termostatica a immersione di grado nanometrico PTL-NMB?
Nella moderna ricerca sui materiali e nella produzione di semiconduttori, la preparazione di film sottili e la tecnologia di rivestimento sono cruciali. Soprattutto nel campo del rivestimento di film sottili con precisione nanometrica, PTL-NMBrivestimento termostatico a immersione di grado nanometrico, come apparecchiatura di precisione, è diventato uno strumento importante nella ricerca e nelle applicazioni industriali. Questo articolo introdurrà in dettaglio come utilizzare il nanometro puller PTL-NMB per rivestire i wafer di silicio.
Lo scopo principale di questo esperimento è quello di utilizzarerivestimento termostatico a immersione di grado nanometrico per rivestire wafer di silicio su entrambi i lati e osservare la deposizione di film sottili sulla superficie dei wafer di silicio. Come substrato importante nella ricerca sui semiconduttori, la qualità del rivestimento superficiale dei wafer di silicio influisce direttamente sul successivo effetto del processo. Pertanto, l'uso di metodi di rivestimento controllati con precisione, come il nanometro pull coater, può rendere il rivestimento uniforme e preciso.
Fasi sperimentali:
1. Pulizia dei wafer di silicio:
Prima che l'esperimento abbia inizio, il wafer di silicio deve essere pulito a fondo. Immergere il wafer di silicio in acqua deionizzata per mantenere la superficie del campione libera da contaminanti esterni. Quindi, rimuovere le macchie d'acqua con acetone, pulirlo a fondo con acqua deionizzata e utilizzare il detergente al plasma PCE-6V per incidere al plasma il wafer di silicio per 10 minuti. Dopo l'incisione, il wafer di silicio deve evitare di essere esposto all'aria per più di 30 minuti, altrimenti lo stato della superficie potrebbe deteriorarsi e compromettere l'adesione della pellicola.
2. Impostazione dei parametri:
Versare il materiale liquido in una tazza da 150 ml e montare il wafer di silicio sul dispositivo di fissaggio del campione per preparare il rivestimento. Nell'esperimento, il wafer di silicio viene prima immerso completamente nella soluzione. Quindi, la velocità di trazione viene impostata a 100 nm/s e l'altezza di trazione viene impostata a 50 mm sul rivestimento termostatico a immersione di grado nanometrico. Secondo i calcoli, l'intero processo di trazione richiede circa 139 ore.
3. Processo di rivestimento:
Durante il processo di rivestimento, il wafer di silicio è controllato dal puller e la soluzione viene gradualmente estratta dalla superficie del substrato per formare una pellicola uniforme. Poiché la velocità di lavoro del puller è molto fine, il processo di deposizione della pellicola è molto stabile e la pellicola infine rivestita sulla superficie del wafer di silicio ha una buona uniformità e consistenza.
Utilizzando ilrivestimento termostatico a immersione di grado nanometrico, i ricercatori possono rivestire accuratamente la superficie del wafer di silicio su entrambi i lati e controllare lo spessore e la qualità della pellicola. I risultati sperimentali mostrano che durante il processo di rivestimento, la deposizione della pellicola è uniforme e soddisfa i requisiti di precisione a livello nanometrico, rendendola adatta alla ricerca su semiconduttori e nanomateriali.